A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB vs Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB

総合得点

A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB

A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB

総合得点

Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB

Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB

相違点仕様コメント

相違点

A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB

考慮すべき理由
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB

バグを報告する

Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB

考慮すべき理由
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB

バグを報告する

PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns

37 40

周辺 -8% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s

16 11.3

テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s

12.6 7.5

テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps

19200 10600

周辺 1.81 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト

A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB

Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB

主な特徴

メモリータイプ

DDR3 DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns

40 37
読み出し速度、GB/s

11.3 16.0
書き込み速度、GB/秒

7.5 12.6
メモリ帯域幅、mbps

10600 19200

Other

商品説明

PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
タイミング / クロック速度

7-7-7-20 / 1333 MHz 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）

1654 2808

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

最新の比較

Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB

Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB

Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FR 16GB

Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FR 16GB

Kingston 99U5471-012.A00 4GB

Kingston 99U5471-012.A00 4GB

Kingston HP26D4S9S8MHF-8 8GB

Kingston HP26D4S9S8MHF-8 8GB

Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB

Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB

Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FBR 16GB

Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FBR 16GB

G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB

G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB

Crucial Technology BL16G36C16U4R.M16FE1 16GB

Crucial Technology BL16G36C16U4R.M16FE1 16GB

PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB

PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB

Crucial Technology BLS16G4D30AESC.M16FE 16GB

Crucial Technology BLS16G4D30AESC.M16FE 16GB

Apacer Technology 78.B1GET.AU00C 4GB

Apacer Technology 78.B1GET.AU00C 4GB

InnoDisk Corporation M4UI-AGS1KC0K-C 16GB

InnoDisk Corporation M4UI-AGS1KC0K-C 16GB

Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB

Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB

Samsung T471A1K43CB1-CRC 8GB

Samsung T471A1K43CB1-CRC 8GB

Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB

Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB

Corsair CMD16GX4M4B2133C10 4GB

Corsair CMD16GX4M4B2133C10 4GB

Samsung 1600 CL10 Series 8GB

Samsung 1600 CL10 Series 8GB

Eudar Technology Inc. 8GXMP3000CL16 8GB

Eudar Technology Inc. 8GXMP3000CL16 8GB

Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB

Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB

Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FARG 4GB

Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FARG 4GB

Avant Technology F641GU67F9333G 8GB

Avant Technology F641GU67F9333G 8GB

Kllisre M471A1K43CB1-CTD 8GB

Kllisre M471A1K43CB1-CTD 8GB

Kingston 9965525-058.A00LF 8GB

Kingston 9965525-058.A00LF 8GB

Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1A2 4GB

Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1A2 4GB

Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB

Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB

Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C16FN 16GB

Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C16FN 16GB

Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB

Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB

Corsair CMK64GX4M4B3333C16 16GB

Corsair CMK64GX4M4B3333C16 16GB