RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3B1 16GB

A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB vs Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3B1 16GB

総合得点
star star star star star
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB

A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB

総合得点
star star star star star
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3B1 16GB

Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3B1 16GB

相違点 仕様 コメント

相違点

A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB 考慮すべき理由
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
バグを報告する
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3B1 16GB 考慮すべき理由
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3B1 16GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    27 left arrow 40
    周辺 -48% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    13.7 left arrow 11.3
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    9.9 left arrow 7.5
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    19200 left arrow 10600
    周辺 1.81 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3B1 16GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    40 left arrow 27
  • 読み出し速度、GB/s
    11.3 left arrow 13.7
  • 書き込み速度、GB/秒
    7.5 left arrow 9.9
  • メモリ帯域幅、mbps
    10600 left arrow 19200
Other
  • 商品説明
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
  • タイミング / クロック速度
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    1654 left arrow 2347

A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB RAMの比較

Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
KingSpec KingSpec 16GB

Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3B1 16GB RAMの比較

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
SK Hynix HMA851U6DJR6N-WM 4GB
SK Hynix HMA851U6DJR6N-WM 4GB
メモリRAM
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FAD 16GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FAD 16GB
メモリRAM
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Mushkin MR[A/B]4U346GJJM8G 8GB
Mushkin MR[A/B]4U346GJJM8G 8GB
メモリRAM
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston KHX2666C15D4/8G 8GB
Kingston KHX2666C15D4/8G 8GB
メモリRAM
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Mushkin 99[2/7/4]209F 8GB
Mushkin 99[2/7/4]209F 8GB
メモリRAM
Kingston KVR533D2N4 512MB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19S/4G 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19S/4G 4GB
メモリRAM
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Kingston 9965662-018.A00G 32GB
Kingston 9965662-018.A00G 32GB
メモリRAM
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
SK Hynix GKE800SO51208-2133AH 8GB
SK Hynix GKE800SO51208-2133AH 8GB
メモリRAM
Kingston KVR533D2N4 512MB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N-VK 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N
メモリRAM
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Transcend Information TS512MLH64V4H 4GB
Transcend Information TS512MLH64V4H 4GB
メモリRAM
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 16GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 16GB
メモリRAM
SK Hynix HMT351S6CFR8C-H9 4GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-H9 4GB
Samsung M471B5173BH0-YK0 4GB
Samsung M471B5173BH0-YK0 4GB
メモリRAM
Kingston KTC1G-UDIMM 1GB
Kingston KTC1G-UDIMM 1GB
Crucial Technology BLM8G40C18U4B.M8FE1 8GB
Crucial Technology BLM8G40C18U4B.M8FE1 8GB
メモリRAM
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
V-Color Technology Inc. TN416G26D819-SB 16GB
V-Color Technology Inc. TN416G26D819-SB 16GB
メモリRAM