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A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
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A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
総合得点
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
総合得点
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
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A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
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考慮すべき理由
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
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PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
30
94
周辺 -213% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s
14.5
1
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
9.0
1,165.4
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
21300
6400
周辺 3.33 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR2
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
94
30
読み出し速度、GB/s
1,882.0
14.5
書き込み速度、GB/秒
1,165.4
9.0
メモリ帯域幅、mbps
6400
21300
Other
商品説明
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
タイミング / クロック速度
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
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