RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Confronto
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Punteggio complessivo
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Punteggio complessivo
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
30
94
Intorno -213% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
14.5
1
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
9.0
1,165.4
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
6400
Intorno 3.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
94
30
Velocità di lettura, GB/s
1,882.0
14.5
Velocità di scrittura, GB/s
1,165.4
9.0
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
21300
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
305
2374
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB Confronto tra le RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N-VK 16GB Confronto tra le RAM
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Corsair CMZ16GX3M2A1600C10 8GB
Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Corsair CMK16GX4M2E4000C19 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTRG 8GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Gloway International (HK) STKD4GAM2400-F 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZKW 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Avant Technology W6451U67J5213NB 4GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GNT 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Mushkin MR[A/B]4U320LLLM16G 16GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Kingston 9905630-005.A00G 8GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-16GRS 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Essencore Limited IM48GS88N26-JJJHA0 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
Kingston DDR3 1333G 2GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Kllisre 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link