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A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
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A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB vs Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
総合得点
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
総合得点
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
相違点
仕様
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A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
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考慮すべき理由
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
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PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
30
94
周辺 -213% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s
16
1
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
12.3
1,165.4
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
23400
6400
周辺 3.66 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR2
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
94
30
読み出し速度、GB/s
1,882.0
16.0
書き込み速度、GB/秒
1,165.4
12.3
メモリ帯域幅、mbps
6400
23400
Other
商品説明
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
タイミング / クロック速度
5-5-5-15 / 800 MHz
19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
305
2709
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB RAMの比較
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
最新の比較
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Kingston 9905743-034.A00G 8GB
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Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
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Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology BL16G30C15U4B.M16FE1 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z4600C18 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Apacer Technology GD2.1542WS.003 8GB
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