RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB

A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB vs Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB

総合得点
star star star star star
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB

A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB

総合得点
star star star star star
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB

Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB

相違点 仕様 コメント

相違点

A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB 考慮すべき理由
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
バグを報告する
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB 考慮すべき理由
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    46 left arrow 94
    周辺 -104% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    16 left arrow 1
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    12.4 left arrow 1,165.4
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    25600 left arrow 6400
    周辺 4 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR2 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    94 left arrow 46
  • 読み出し速度、GB/s
    1,882.0 left arrow 16.0
  • 書き込み速度、GB/秒
    1,165.4 left arrow 12.4
  • メモリ帯域幅、mbps
    6400 left arrow 25600
Other
  • 商品説明
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
  • タイミング / クロック速度
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    305 left arrow 2660

A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB RAMの比較

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB

Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB RAMの比較

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B1 16GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B1 16GB
メモリRAM
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
メモリRAM
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
Kingston CBD24D4S7S8MB-8 8GB
Kingston CBD24D4S7S8MB-8 8GB
メモリRAM
Kingston 99U5471-037.A00LF 8GB
Kingston 99U5471-037.A00LF 8GB
Transcend Information TS1GLH64V1H 8GB
Transcend Information TS1GLH64V1H 8GB
メモリRAM
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N
メモリRAM
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Kllisre 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
Kllisre 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
メモリRAM
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FD 16GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FD 16GB
メモリRAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Essencore Limited KD48GU880-36A180U 8GB
Essencore Limited KD48GU880-36A180U 8GB
メモリRAM
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GVK 32GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GVK 32GB
メモリRAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GTRS 8GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GTRS 8GB
メモリRAM
AMD R5316G1609U2K 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Kingston KHYXPX-HYJ 8GB
Kingston KHYXPX-HYJ 8GB
メモリRAM
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZR 16GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZR 16GB
メモリRAM
G Skill Intl F3-10666CL9-2GBRL 2GB
G Skill Intl F3-10666CL9-2GBRL 2GB
Kingston CBD26D4U9S8ME-8 8GB
Kingston CBD26D4U9S8ME-8 8GB
メモリRAM
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Samsung M471A2K43BB1-CPB 16GB
Samsung M471A2K43BB1-CPB 16GB
メモリRAM