A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB против Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB

-->

Средняя оценка

A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB

A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB

Средняя оценка

Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB

Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB

Причины выбрать
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB

Сообщить об ошибке

Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB

Причины выбрать
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

46 94

Около -104% меньшая задержка
Выше скорость чтения

16 1

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

12.4 1,165.4

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

25600 6400

Около 4 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB

Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR2 DDR4
Задержка в PassMark, нс

94 46
Скорость чтения, Гб/сек

1,882.0 16.0
Скорость записи, Гб/сек

1,165.4 12.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек

6400 25600

Other

Описание

PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Тайминги / частота

5-5-5-15 / 800 MHz 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

305 2660

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB

Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB

Corsair CMK8GX4M2B3600C18 4GB

Corsair CMK8GX4M2B3600C18 4GB

модули RAM

Kingston 9965525-155.A00LF 8GB

Kingston 9965525-155.A00LF 8GB

Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FF 4GB

Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FF 4GB

модули RAM

Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB

Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB

Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB

Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB

модули RAM

A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB

A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB

A-DATA Technology DDR3 1600X 2GB

A-DATA Technology DDR3 1600X 2GB

модули RAM

Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB

Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB

Kingston ACR32D4U2S1ME-8 8GB

Kingston ACR32D4U2S1ME-8 8GB

модули RAM

Kingston 9965525-140.A00LF 8GB

Kingston 9965525-140.A00LF 8GB

G Skill Intl F4-3200C15-8GTZ 8GB

G Skill Intl F4-3200C15-8GTZ 8GB

модули RAM

Team Group Inc. UD5-6400 16GB

Team Group Inc. UD5-6400 16GB

G Skill Intl F4-2400C15-16GTZR 16GB

G Skill Intl F4-2400C15-16GTZR 16GB

модули RAM

SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB

SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB

Kingston 9965589-043.E00G 16GB

Kingston 9965589-043.E00G 16GB

модули RAM

Corsair CM2X1024-6400C4 1GB

Corsair CM2X1024-6400C4 1GB

SK Hynix HMA81GS6CJR8N-UH 8GB

SK Hynix HMA81GS6CJR8N-UH 8GB

модули RAM

Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB

Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB

Samsung M391A1G43EB1-CRC 8GB

Samsung M391A1G43EB1-CRC 8GB

модули RAM

G Skill Intl F3-10666CL9-2GBRL 2GB

G Skill Intl F3-10666CL9-2GBRL 2GB

Kingston HX432C15PB3/16 16GB

Kingston HX432C15PB3/16 16GB

модули RAM

Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB

Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB

Kingston KV0M5R-HYD 8GB

Kingston KV0M5R-HYD 8GB

модули RAM

Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB

Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB

Corsair CMK16GX4M1B3000C15 16GB

Corsair CMK16GX4M1B3000C15 16GB

модули RAM

Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB

Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB

Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB

Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB

модули RAM