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A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
比較する
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB vs Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
総合得点
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
総合得点
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
バグを報告する
読み出し速度の高速化、GB/s
5
18.1
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
2,343.1
15.0
テスト平均値
考慮すべき理由
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
バグを報告する
PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
23
49
周辺 -113% 低遅延
より高いメモリ帯域幅、mbps
21300
6400
周辺 3.33 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR2
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
49
23
読み出し速度、GB/s
5,135.8
18.1
書き込み速度、GB/秒
2,343.1
15.0
メモリ帯域幅、mbps
6400
21300
Other
商品説明
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
タイミング / クロック速度
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
843
3317
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB RAMの比較
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Kingston HX421C14FB/4 4GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Kingston 9905701-003.A00G 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZRB 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GVK 8GB
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