PNY Electronics PNY 2GB vs Crucial Technology BLS4G4D240FSC.M8FADG 4GB

総合得点

PNY Electronics PNY 2GB

PNY Electronics PNY 2GB

総合得点

Crucial Technology BLS4G4D240FSC.M8FADG 4GB

Crucial Technology BLS4G4D240FSC.M8FADG 4GB

相違点仕様コメント

相違点

PNY Electronics PNY 2GB

考慮すべき理由
PNY Electronics PNY 2GB

バグを報告する

PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns

27 30

周辺 10% 低遅延

Crucial Technology BLS4G4D240FSC.M8FADG 4GB

考慮すべき理由
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.M8FADG 4GB

バグを報告する

読み出し速度の高速化、GB/s

16.7 13.8

テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s

12.7 8.4

テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps

19200 10600

周辺 1.81 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト

PNY Electronics PNY 2GB

Crucial Technology BLS4G4D240FSC.M8FADG 4GB

主な特徴

メモリータイプ

DDR3 DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns

27 30
読み出し速度、GB/s

13.8 16.7
書き込み速度、GB/秒

8.4 12.7
メモリ帯域幅、mbps

10600 19200

Other

商品説明

PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
タイミング / クロック速度

7-7-7-20 / 1333 MHz 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）

2274 3127

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

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Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C8FE 16GB

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SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB

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Apacer Technology 76.B305G.D500B 4GB

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TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB

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Crucial Technology BL16G36C16U4BL.M8FB1 16GB

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SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB

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Kingston KHX2800C14D4/4GX 4GB

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SK Hynix HMP125U6EFR8C-S6 2GB

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Corsair CMD16GX4M4B2133C10 4GB

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Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB

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Corsair CM4X8GE2133C13K4 8GB

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Kingston 9965684-013.A00G 8GB

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Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB

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Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB

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Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB

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Kingston 9905700-013.A00G 8GB

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Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB

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Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB

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SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB

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