A-DATA Technology DDR4 2666 8GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO102408-2400 8GB

総合得点

A-DATA Technology DDR4 2666 8GB

A-DATA Technology DDR4 2666 8GB

総合得点

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO102408-2400 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO102408-2400 8GB

相違点仕様コメント

相違点

A-DATA Technology DDR4 2666 8GB

考慮すべき理由
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB

バグを報告する

読み出し速度の高速化、GB/s

15.5 14.6

テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s

11.8 9.9

テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps

21300 19200

周辺 1.11% 高帯域

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO102408-2400 8GB

考慮すべき理由
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO102408-2400 8GB

バグを報告する

PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns

25 32

周辺 -28% 低遅延

仕様

技術仕様の完全リスト

A-DATA Technology DDR4 2666 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO102408-2400 8GB

主な特徴

メモリータイプ

DDR4 DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns

32 25
読み出し速度、GB/s

15.5 14.6
書き込み速度、GB/秒

11.8 9.9
メモリ帯域幅、mbps

21300 19200

Other

商品説明

PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
タイミング / クロック速度

17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）

2968 2427

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

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