RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO102408-2400 8GB
Сравнить
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO102408-2400 8GB
-->
Средняя оценка
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO102408-2400 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
15.5
14.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.8
9.9
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
19200
Около 1.11% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO102408-2400 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
25
32
Около -28% меньшая задержка
Спецификации
Полный список технических характеристик
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO102408-2400 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
32
25
Скорость чтения, Гб/сек
15.5
14.6
Скорость записи, Гб/сек
11.8
9.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
21300
19200
Other
Описание
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2968
2427
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO102408-2400 8GB Сравнения RAM
Kingston 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Corsair CMK32GX4M2Z3200C16 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Kingston ACR24D4U7S8MB-8 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Golden Empire CL18-20-20 D4-3200 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston 9905643-009.A00G 8GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Corsair CMSX16GX4M1A2666C18 16GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G266681 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GVK 32GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
ISD Technology Limited 8GBF1X08QFHH38-135-K 8GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXFB 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZ 8GB
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
Panram International Corporation PUD42133C154G2VS 4GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
G Skill Intl F4-2666C19-16GIS 16GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GTZ 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link