RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
ru
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N-UH 4GB

G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N-UH 4GB

-->
Средняя оценка
star star star star star
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB

G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB

Средняя оценка
star star star star star
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N-UH 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N-UH 4GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB Причины выбрать
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Сообщить об ошибке
  • Ниже задержка в тестах PassMark, нс
    31 left arrow 122
    Около 75% меньшая задержка
  • Выше скорость чтения
    17.4 left arrow 9.4
    Среднее значение в тестах
  • Выше скорость записи
    10.9 left arrow 5.8
    Среднее значение в тестах
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N-UH 4GB Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N-UH 4GB
Сообщить об ошибке
  • Выше пропускная способность
    19200 left arrow 12800
    Около 1.5 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N-UH 4GB
Основные характеристики
  • Тип памяти
    DDR3 left arrow DDR4
  • Задержка в PassMark, нс
    31 left arrow 122
  • Скорость чтения, Гб/сек
    17.4 left arrow 9.4
  • Скорость записи, Гб/сек
    10.9 left arrow 5.8
  • Пропускная способность памяти, мбит/сек
    12800 left arrow 19200
Other
  • Описание
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • Тайминги / частота
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
    2735 left arrow 1411

G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB Сравнения RAM

Corsair CMD32GX3M4A2400C10 8GB
Corsair CMY16GX3M2A2400C10 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N-UH 4GB Сравнения RAM

A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
RAM 2

Последние сравнения

G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N-UH 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N
модули RAM
Crucial Technology CT102464BD160B.M16 8GB
Crucial Technology CT102464BD160B.M16 8GB
G Skill Intl F4-5333C22-8GTRG 8GB
G Skill Intl F4-5333C22-8GTRG 8GB
модули RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
InnoDisk Corporation M4S0-AGS1O5IK 16GB
InnoDisk Corporation M4S0-AGS1O5IK 16GB
модули RAM
PNY Electronics PNY 2GB
PNY Electronics PNY 2GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
модули RAM
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FAD 16GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FAD 16GB
модули RAM
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
A-DATA Technology AO1P32MC8T1-BW3S 8GB
A-DATA Technology AO1P32MC8T1-BW3S 8GB
модули RAM
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GNT 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GNT 4GB
модули RAM
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Kingston HP26D4S9S8MH-8 8GB
Kingston HP26D4S9S8MH-8 8GB
модули RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Kingston 9965669-031.A00G 16GB
Kingston 9965669-031.A00G 16GB
модули RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Corsair CMT64GX4M2C3600C18 32GB
Corsair CMT64GX4M2C3600C18 32GB
модули RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9965604-016.C01G 8GB
Kingston 9965604-016.C01G 8GB
модули RAM
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
InnoDisk Corporation 16GB
InnoDisk Corporation 16GB
модули RAM
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Samsung M378A2K43CB1-CTD 16GB
Samsung M378A2K43CB1-CTD 16GB
модули RAM
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Crucial Technology CB8GU2400.C8ET 8GB
Crucial Technology CB8GU2400.C8ET 8GB
модули RAM