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A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FE 8GB
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A-DATA Technology DQKD1A08 1GB vs Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FE 8GB
総合得点
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
総合得点
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FE 8GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
バグを報告する
PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
52
66
周辺 21% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s
2
16.1
テスト平均値
考慮すべき理由
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FE 8GB
バグを報告する
書き込み速度の高速化、GB/s
8.3
1,145.9
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
21300
4200
周辺 5.07 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FE 8GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR2
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
52
66
読み出し速度、GB/s
2,614.5
16.1
書き込み速度、GB/秒
1,145.9
8.3
メモリ帯域幅、mbps
4200
21300
Other
商品説明
PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
タイミング / クロック速度
4-4-4-12 / 533 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
409
1810
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Frequency (Mhz) *
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0 ns
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Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4500 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Gloway International (HK) STKD4GAM2400-F 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO10240
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
EVGA 16G-D4-2666-MR 4GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
A-DATA Technology DDR4 3200 2OZ 4GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Transcend Information JM3200HSE-32G 32GB
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