A-DATA Technology DQKD1A08 1GB vs Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FE 16GB

総合得点

A-DATA Technology DQKD1A08 1GB

A-DATA Technology DQKD1A08 1GB

総合得点

Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FE 16GB

Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FE 16GB

相違点仕様コメント

相違点

A-DATA Technology DQKD1A08 1GB

考慮すべき理由
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB

バグを報告する

読み出し速度の高速化、GB/s

2 14.9

テスト平均値

Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FE 16GB

考慮すべき理由
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FE 16GB

バグを報告する

PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns

37 52

周辺 -41% 低遅延
書き込み速度の高速化、GB/s

13.0 1,145.9

テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps

21300 4200

周辺 5.07 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト

A-DATA Technology DQKD1A08 1GB

Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FE 16GB

主な特徴

メモリータイプ

DDR2 DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns

52 37
読み出し速度、GB/s

2,614.5 14.9
書き込み速度、GB/秒

1,145.9 13.0
メモリ帯域幅、mbps

4200 21300

Other

商品説明

PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
タイミング / クロック速度

4-4-4-12 / 533 MHz 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）

409 2836

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

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A-DATA Technology DQKD1A08 1GB

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Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FE 16GB

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Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB

Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB

G Skill Intl F4-3300C16-4GRRD 4GB

G Skill Intl F4-3300C16-4GRRD 4GB

Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB

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Kingston KHX426C13/8G 8GB

Kingston KHX426C13/8G 8GB

Kingston 9905458-017.A01LF 4GB

Kingston 9905458-017.A01LF 4GB

Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FD1 16GB

Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FD1 16GB

Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB

Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB

G Skill Intl F4-4133C19-8GTZSWF 8GB

G Skill Intl F4-4133C19-8GTZSWF 8GB

Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB

Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB

G Skill Intl F4-4266C16-8GTZR 8GB

G Skill Intl F4-4266C16-8GTZR 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240

Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FN 8GB

Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FN 8GB

Samsung M471B5273DH0-YK0 4GB

Samsung M471B5273DH0-YK0 4GB

Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB

Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB

SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB

SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB

G Skill Intl F4-3466C18-8GTZRXB 8GB

G Skill Intl F4-3466C18-8GTZRXB 8GB

TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB

TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB

OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB

OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240

Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G26662S 16GB

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Golden Empire CL5-5-5DDR2 1GB

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Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G1A1 8GB

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Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB

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G Skill Intl F4-4133C19-4GTZ 4GB

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