A-DATA Technology DQKD1A08 1GB vs G Skill Intl F4-3200C16-16GTRG 16GB

総合得点

A-DATA Technology DQKD1A08 1GB

A-DATA Technology DQKD1A08 1GB

総合得点

G Skill Intl F4-3200C16-16GTRG 16GB

G Skill Intl F4-3200C16-16GTRG 16GB

相違点仕様コメント

相違点

A-DATA Technology DQKD1A08 1GB

考慮すべき理由
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB

バグを報告する

読み出し速度の高速化、GB/s

2 17.3

テスト平均値

G Skill Intl F4-3200C16-16GTRG 16GB

考慮すべき理由
G Skill Intl F4-3200C16-16GTRG 16GB

バグを報告する

PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns

29 52

周辺 -79% 低遅延
書き込み速度の高速化、GB/s

13.4 1,145.9

テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps

17000 4200

周辺 4.05 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト

A-DATA Technology DQKD1A08 1GB

G Skill Intl F4-3200C16-16GTRG 16GB

主な特徴

メモリータイプ

DDR2 DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns

52 29
読み出し速度、GB/s

2,614.5 17.3
書き込み速度、GB/秒

1,145.9 13.4
メモリ帯域幅、mbps

4200 17000

Other

商品説明

PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
タイミング / クロック速度

4-4-4-12 / 533 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）

409 3508

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

最新の比較

Kingston 9965525-140.A00LF 8GB

Kingston 9965525-140.A00LF 8GB

Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1B1 16GB

Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1B1 16GB

Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB

Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB

Chun Well Technology Holding Limited D4U0830160B 8GB

Chun Well Technology Holding Limited D4U0830160B 8GB

Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB

Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB

Crucial Technology CT16G4DFRA32A.M16FJ1 16GB

Crucial Technology CT16G4DFRA32A.M16FJ1 16GB

Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB

Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB

Apacer Technology D12.2344DT.001 4GB

Apacer Technology D12.2344DT.001 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7AFR8N-UH 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7AFR8N

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240

SK Hynix HMA82GS6AFRFR-UH 16GB

SK Hynix HMA82GS6AFRFR-UH 16GB

G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB

G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB

Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBR2 8GB

Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBR2 8GB

Team Group Inc. UD5-6400 16GB

Team Group Inc. UD5-6400 16GB

A-DATA Technology DDR4 3200 8GB

A-DATA Technology DDR4 3200 8GB

Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB

Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB

Apacer Technology D12.2344DT.001 4GB

Apacer Technology D12.2344DT.001 4GB

Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB

Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB

Kingston 99U5702-020.A00G 8GB

Kingston 99U5702-020.A00G 8GB

Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB

Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB

Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G213381 8GB

Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G213381 8GB

A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB

A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB

Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 4GB 4GB

Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 4GB 4GB

Kingston HX318C10FK/4 4GB

Kingston HX318C10FK/4 4GB

G Skill Intl F4-3200C16-8GRS 8GB

G Skill Intl F4-3200C16-8GRS 8GB

Samsung 1600 CL10 Series 8GB

Samsung 1600 CL10 Series 8GB

Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G6E1 16GB

Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G6E1 16GB