A-DATA Technology DQKD1A08 1GB vs G Skill Intl F4-3733C17-8GTZSW 8GB

総合得点

A-DATA Technology DQKD1A08 1GB

A-DATA Technology DQKD1A08 1GB

総合得点

G Skill Intl F4-3733C17-8GTZSW 8GB

G Skill Intl F4-3733C17-8GTZSW 8GB

相違点仕様コメント

相違点

A-DATA Technology DQKD1A08 1GB

考慮すべき理由
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB

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G Skill Intl F4-3733C17-8GTZSW 8GB

考慮すべき理由
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZSW 8GB

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PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns

21 52

周辺 -148% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s

21.4 2

テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s

17.6 1,145.9

テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps

17000 4200

周辺 4.05 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト

A-DATA Technology DQKD1A08 1GB

G Skill Intl F4-3733C17-8GTZSW 8GB

主な特徴

メモリータイプ

DDR2 DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns

52 21
読み出し速度、GB/s

2,614.5 21.4
書き込み速度、GB/秒

1,145.9 17.6
メモリ帯域幅、mbps

4200 17000

Other

商品説明

PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
タイミング / クロック速度

4-4-4-12 / 533 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）

409 3954

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

最新の比較

A-DATA Technology DQKD1A08 1GB

A-DATA Technology DQKD1A08 1GB

G Skill Intl F4-3733C17-8GTZSW 8GB

G Skill Intl F4-3733C17-8GTZSW 8GB

Kingston 9905471-002.A00LF 2GB

Kingston 9905471-002.A00LF 2GB

Samsung M386A2G40DB0-CPB 16GB

Samsung M386A2G40DB0-CPB 16GB

Kingston 9905471-002.A00LF 2GB

Kingston 9905471-002.A00LF 2GB

Kingston KF2666C13D4/8GX 8GB

Kingston KF2666C13D4/8GX 8GB

Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB

Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-UH 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N

Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB

Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB

Kingston 9905678-014.A00G 4GB

Kingston 9905678-014.A00G 4GB

Kingston 9965525-140.A00LF 8GB

Kingston 9965525-140.A00LF 8GB

Century Micro Inc. CENTURY JAPAN MEMORY 8GB

Century Micro Inc. CENTURY JAPAN MEMORY 8GB

Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB

Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB

Kingston 9905743-034.A00G 8GB

Kingston 9905743-034.A00G 8GB

Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB

Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB

Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHA 8GB

Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHA 8GB

Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB

Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB

Corsair CMK64GX4M4B3333C16 16GB

Corsair CMK64GX4M4B3333C16 16GB

Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB

Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB

Crucial Technology BLS8G4S240FSD.M16FAD 8GB

Crucial Technology BLS8G4S240FSD.M16FAD 8GB

Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB

Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB

SK Hynix HMAA4GS6AJR8N-XN 32GB

SK Hynix HMAA4GS6AJR8N-XN 32GB

SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB

SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB

Apacer Technology GD2.11173T.001 4GB

Apacer Technology GD2.11173T.001 4GB

Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB

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Thermaltake Technology Co Ltd CL-W262-CA00SW-A 8GB

Thermaltake Technology Co Ltd CL-W262-CA00SW-A 8GB

Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB

Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB

Kingston 9965596-031.B00G 8GB

Kingston 9965596-031.B00G 8GB