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A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6AFR8N-TF 8GB
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A-DATA Technology DQKD1A08 1GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6AFR8N-TF 8GB
総合得点
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
総合得点
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6AFR8N-TF 8GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
バグを報告する
読み出し速度の高速化、GB/s
2
15.6
テスト平均値
考慮すべき理由
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6AFR8N-TF 8GB
バグを報告する
PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
27
52
周辺 -93% 低遅延
書き込み速度の高速化、GB/s
11.3
1,145.9
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
17000
4200
周辺 4.05 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6AFR8N-TF 8GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR2
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
52
27
読み出し速度、GB/s
2,614.5
15.6
書き込み速度、GB/秒
1,145.9
11.3
メモリ帯域幅、mbps
4200
17000
Other
商品説明
PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
タイミング / クロック速度
4-4-4-12 / 533 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
409
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Frequency (Mhz) *
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