RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Hyundai Inc GR26C16S8K2HU416 8GB

A-DATA Technology DQKD1A08 1GB vs Hyundai Inc GR26C16S8K2HU416 8GB

総合得点
star star star star star
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB

A-DATA Technology DQKD1A08 1GB

総合得点
star star star star star
Hyundai Inc GR26C16S8K2HU416 8GB

Hyundai Inc GR26C16S8K2HU416 8GB

相違点 仕様 コメント

相違点

A-DATA Technology DQKD1A08 1GB 考慮すべき理由
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
バグを報告する
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    2 left arrow 17.4
    テスト平均値
Hyundai Inc GR26C16S8K2HU416 8GB 考慮すべき理由
Hyundai Inc GR26C16S8K2HU416 8GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    22 left arrow 52
    周辺 -136% 低遅延
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    13.6 left arrow 1,145.9
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    21300 left arrow 4200
    周辺 5.07 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Hyundai Inc GR26C16S8K2HU416 8GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR2 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    52 left arrow 22
  • 読み出し速度、GB/s
    2,614.5 left arrow 17.4
  • 書き込み速度、GB/秒
    1,145.9 left arrow 13.6
  • メモリ帯域幅、mbps
    4200 left arrow 21300
Other
  • 商品説明
    PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
  • タイミング / クロック速度
    4-4-4-12 / 533 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    409 left arrow 3182

A-DATA Technology DQKD1A08 1GB RAMの比較

SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Samsung M4 70T2864AZ3-CE6 1GB

Hyundai Inc GR26C16S8K2HU416 8GB RAMの比較

Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Maxsun MSD48G26Q3 8GB
Maxsun MSD48G26Q3 8GB
メモリRAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M471A1G43EB1-CRC 8GB
Samsung M471A1G43EB1-CRC 8GB
メモリRAM
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMGD480E82-3200D 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMGD480E82-3200D 8GB
メモリRAM
AMD R5S38G1601U2S 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Corsair CMD16GX4M2E4000C19 8GB
Corsair CMD16GX4M2E4000C19 8GB
メモリRAM
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Corsair CM4X16GC3000C16K4D 16GB
Corsair CM4X16GC3000C16K4D 16GB
メモリRAM
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FHD 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FHD 16GB
メモリRAM
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Samsung M471A5143DB0-CPB 4GB
Samsung M471A5143DB0-CPB 4GB
メモリRAM
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Apacer Technology 78.CAGP7.AZC0B 8GB
Apacer Technology 78.CAGP7.AZC0B 8GB
メモリRAM
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Transcend Information JM2666HLG-16GK 8GB
Transcend Information JM2666HLG-16GK 8GB
メモリRAM
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology BL8G30C15U4W.M8FE1 8GB
Crucial Technology BL8G30C15U4W.M8FE1 8GB
メモリRAM
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMR32GX4M2F3600C18 16GB
Corsair CMR32GX4M2F3600C18 16GB
メモリRAM
Kingston HP16D3LS1KFG/4G 4GB
Kingston HP16D3LS1KFG/4G 4GB
Kingston KF548C38-16 16GB
Kingston KF548C38-16 16GB
メモリRAM
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1B1 4GB
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1B1 4GB
メモリRAM
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Kingston KP6FH5-MIE 32GB
Kingston KP6FH5-MIE 32GB
メモリRAM