RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB

A-DATA Technology DQKD1A08 1GB vs Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB

総合得点
star star star star star
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB

A-DATA Technology DQKD1A08 1GB

総合得点
star star star star star
Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB

Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB

相違点 仕様 コメント

相違点

A-DATA Technology DQKD1A08 1GB 考慮すべき理由
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    52 left arrow 75
    周辺 31% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    2 left arrow 14.9
    テスト平均値
Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB 考慮すべき理由
Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB
バグを報告する
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    7.1 left arrow 1,145.9
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    21300 left arrow 4200
    周辺 5.07 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR2 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    52 left arrow 75
  • 読み出し速度、GB/s
    2,614.5 left arrow 14.9
  • 書き込み速度、GB/秒
    1,145.9 left arrow 7.1
  • メモリ帯域幅、mbps
    4200 left arrow 21300
Other
  • 商品説明
    PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • タイミング / クロック速度
    4-4-4-12 / 533 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    409 left arrow 1763

A-DATA Technology DQKD1A08 1GB RAMの比較

SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Samsung M4 70T2864AZ3-CE6 1GB

Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB RAMの比較

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB
メモリRAM
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESB.M16FE 16GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESB.M16FE 16GB
メモリRAM
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZA 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZA 16GB
メモリRAM
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSEK.8FBD 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSEK.8FBD 8GB
メモリRAM
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Corsair CMK32GX4M4B3466C16 8GB
Corsair CMK32GX4M4B3466C16 8GB
メモリRAM
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZ 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZ 8GB
メモリRAM
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTRS 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTRS 8GB
メモリRAM
Kingston HP536727-H41-ELD 4GB
Kingston HP536727-H41-ELD 4GB
Samsung M393A2K40BB2-CTD 16GB
Samsung M393A2K40BB2-CTD 16GB
メモリRAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kllisre 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
Kllisre 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
メモリRAM
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GVR 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GVR 8GB
メモリRAM
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
G Skill Intl F4-4800C18-8GTRG 8GB
G Skill Intl F4-4800C18-8GTRG 8GB
メモリRAM
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZSW 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZSW 8GB
メモリRAM
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
A-DATA Technology AM1P26KCST2-BABS 16GB
A-DATA Technology AM1P26KCST2-BABS 16GB
メモリRAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Carry Technology Co. Ltd. 4DCC3IOGE-MATP 8GB
Carry Technology Co. Ltd. 4DCC3IOGE-MATP 8GB
メモリRAM