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A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
V-GEN D4H4GL26A8TS5 4GB

A-DATA Technology DQKD1A08 1GB vs V-GEN D4H4GL26A8TS5 4GB

総合得点
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A-DATA Technology DQKD1A08 1GB

A-DATA Technology DQKD1A08 1GB

総合得点
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V-GEN D4H4GL26A8TS5 4GB

V-GEN D4H4GL26A8TS5 4GB

相違点 仕様 コメント

相違点

A-DATA Technology DQKD1A08 1GB 考慮すべき理由
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    52 left arrow 67
    周辺 22% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    2 left arrow 16.2
    テスト平均値
V-GEN D4H4GL26A8TS5 4GB 考慮すべき理由
V-GEN D4H4GL26A8TS5 4GB
バグを報告する
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    8.3 left arrow 1,145.9
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    19200 left arrow 4200
    周辺 4.57 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
V-GEN D4H4GL26A8TS5 4GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR2 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    52 left arrow 67
  • 読み出し速度、GB/s
    2,614.5 left arrow 16.2
  • 書き込み速度、GB/秒
    1,145.9 left arrow 8.3
  • メモリ帯域幅、mbps
    4200 left arrow 19200
Other
  • 商品説明
    PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • タイミング / クロック速度
    4-4-4-12 / 533 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    409 left arrow 1798

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A-DATA Technology DQVE1908 512MB
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Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FRS 16GB
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Team Group Inc. UD5-6400 16GB
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Samsung M378A5244CB0-CRC 4GB
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メモリRAM
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
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Corsair CMT32GX4M4K3600C16 8GB
Corsair CMT32GX4M4K3600C16 8GB
メモリRAM
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
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Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G6D2 64GB
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メモリRAM
Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB
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Crucial Technology BL32G32C16S4B.16FB 32GB
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メモリRAM
Crucial Technology BLS8G3N169ES4.16FE 8GB
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Corsair CMU32GX4M2C3000C16 16GB
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メモリRAM
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
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INTENSO 4GB
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メモリRAM
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
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Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
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Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
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Kingston XVTW4H-MIE 32GB
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Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
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Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FD1 16GB
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Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G6672 2GB
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