RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Corsair CMK8GX4M2B3733C17 4GB

A-DATA Technology DQVE1908 512MB vs Corsair CMK8GX4M2B3733C17 4GB

総合得点
star star star star star
A-DATA Technology DQVE1908 512MB

A-DATA Technology DQVE1908 512MB

総合得点
star star star star star
Corsair CMK8GX4M2B3733C17 4GB

Corsair CMK8GX4M2B3733C17 4GB

相違点 仕様 コメント

相違点

A-DATA Technology DQVE1908 512MB 考慮すべき理由
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
バグを報告する
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    2 left arrow 19.4
    テスト平均値
Corsair CMK8GX4M2B3733C17 4GB 考慮すべき理由
Corsair CMK8GX4M2B3733C17 4GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    21 left arrow 66
    周辺 -214% 低遅延
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    14.6 left arrow 1,557.9
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    17000 left arrow 6400
    周辺 2.66 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Corsair CMK8GX4M2B3733C17 4GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR2 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    66 left arrow 21
  • 読み出し速度、GB/s
    2,775.5 left arrow 19.4
  • 書き込み速度、GB/秒
    1,557.9 left arrow 14.6
  • メモリ帯域幅、mbps
    6400 left arrow 17000
Other
  • 商品説明
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
  • タイミング / クロック速度
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    382 left arrow 2981

A-DATA Technology DQVE1908 512MB RAMの比較

Qimonda ITC 1GB
Micron Technology 36HTS1G72FY667A1D4 8GB

Corsair CMK8GX4M2B3733C17 4GB RAMの比較

STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

A-DATA Technology DQVE1908 512MB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Corsair CMK8GX4M2B3733C17 4GB
Corsair CMK8GX4M2B3733C17 4GB
メモリRAM
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Transcend Information TS512MLH64V1H 4GB
Transcend Information TS512MLH64V1H 4GB
メモリRAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A
Samsung M471A1K1KCB1-CRC 8GB
Samsung M471A1K1KCB1-CRC 8GB
メモリRAM
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
メモリRAM
AMD AE34G1601U1 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Samsung V-GeN D4S8GL26A8TL5 8GB
Samsung V-GeN D4S8GL26A8TL5 8GB
メモリRAM
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Virtium Technology Inc. VL4A1G63A-N6SE-NI 8GB
Virtium Technology Inc. VL4A1G63A-N6SE-NI 8GB
メモリRAM
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Kingston XRMWRN-HYA 16GB
Kingston XRMWRN-HYA 16GB
メモリRAM
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
メモリRAM
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Essencore Limited IM4AGU88A30-FGGHMB 16GB
Essencore Limited IM4AGU88A30-FGGHMB 16GB
メモリRAM
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Smart Modular SF4641G8CK8I6GKSEG 8GB
Smart Modular SF4641G8CK8I6GKSEG 8GB
メモリRAM
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FDD2 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FDD2 8GB
メモリRAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Kingston 9905703-009.A00G 16GB
Kingston 9905703-009.A00G 16GB
メモリRAM
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.16FE 16GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.16FE 16GB
メモリRAM
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FB 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FB 4GB
メモリRAM