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AMD AE34G1601U1 4GB
Samsung V-GeN D4S8GL26A8TL5 8GB
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AMD AE34G1601U1 4GB vs Samsung V-GeN D4S8GL26A8TL5 8GB
総合得点
AMD AE34G1601U1 4GB
総合得点
Samsung V-GeN D4S8GL26A8TL5 8GB
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考慮すべき理由
Samsung V-GeN D4S8GL26A8TL5 8GB
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PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
22
67
周辺 -205% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s
18
6.8
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
12.8
3.6
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
19200
12800
周辺 1.5 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
AMD AE34G1601U1 4GB
Samsung V-GeN D4S8GL26A8TL5 8GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR3
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
67
22
読み出し速度、GB/s
6.8
18.0
書き込み速度、GB/秒
3.6
12.8
メモリ帯域幅、mbps
12800
19200
Other
商品説明
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
タイミング / クロック速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
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RAM Latency Calculator
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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