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AMD AE34G1601U1 4GB
Samsung V-GeN D4S8GL26A8TL5 8GB
Compara
AMD AE34G1601U1 4GB vs Samsung V-GeN D4S8GL26A8TL5 8GB
Puntuación global
AMD AE34G1601U1 4GB
Puntuación global
Samsung V-GeN D4S8GL26A8TL5 8GB
Diferencias
Especificaciones
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Razones a tener en cuenta
AMD AE34G1601U1 4GB
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Razones a tener en cuenta
Samsung V-GeN D4S8GL26A8TL5 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
22
67
En -205% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
18
6.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.8
3.6
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
12800
En 1.5 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
AMD AE34G1601U1 4GB
Samsung V-GeN D4S8GL26A8TL5 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
67
22
Velocidad de lectura, GB/s
6.8
18.0
Velocidad de escritura, GB/s
3.6
12.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
19200
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
998
3110
AMD AE34G1601U1 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Panram International Corporation PUD31600C94GNJK 4GB
Kingston 9905428-196.A00LF 8GB
Samsung V-GeN D4S8GL26A8TL5 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FG 4GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
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Kingston KHX2133C13D4/8GX 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2800C18-8GRS 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
Apacer Technology D22.23263S.002 16GB
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