RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
AMD AE34G1601U1 4GB
Samsung V-GeN D4S8GL26A8TL5 8GB
Confronto
AMD AE34G1601U1 4GB vs Samsung V-GeN D4S8GL26A8TL5 8GB
Punteggio complessivo
AMD AE34G1601U1 4GB
Punteggio complessivo
Samsung V-GeN D4S8GL26A8TL5 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
AMD AE34G1601U1 4GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
Samsung V-GeN D4S8GL26A8TL5 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
22
67
Intorno -205% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
18
6.8
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.8
3.6
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
12800
Intorno 1.5 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
AMD AE34G1601U1 4GB
Samsung V-GeN D4S8GL26A8TL5 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
67
22
Velocità di lettura, GB/s
6.8
18.0
Velocità di scrittura, GB/s
3.6
12.8
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
19200
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
998
3110
AMD AE34G1601U1 4GB Confronto tra le RAM
Panram International Corporation PUD31600C94GNJK 4GB
Kingston 9905428-196.A00LF 8GB
Samsung V-GeN D4S8GL26A8TL5 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N
AMD AE34G1601U1 4GB
Samsung V-GeN D4S8GL26A8TL5 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Corsair CMK32GX4M2L3200C16 16GB
OCZ OCZ3G2000LV2G 2GB
Samsung M471A4G43BB1-CWE 32GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FP 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Kingston KY7N41-MID 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVK 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-32GVK 32GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Samsung M378A1K43BB2-CTD 8GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
A-DATA Technology AO1P26KCST2-BZISHC 16GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZ 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMK8GX4M2B4266C19 4GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3200C16A 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link