RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMW16GX4M2K3600C16 8GB

A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB vs Corsair CMW16GX4M2K3600C16 8GB

総合得点
star star star star star
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB

A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB

総合得点
star star star star star
Corsair CMW16GX4M2K3600C16 8GB

Corsair CMW16GX4M2K3600C16 8GB

相違点 仕様 コメント

相違点

A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB 考慮すべき理由
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
バグを報告する
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    4 left arrow 16.3
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    2,061.2 left arrow 15.5
    テスト平均値
Corsair CMW16GX4M2K3600C16 8GB 考慮すべき理由
Corsair CMW16GX4M2K3600C16 8GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    31 left arrow 46
    周辺 -48% 低遅延
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    17000 left arrow 6400
    周辺 2.66 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMW16GX4M2K3600C16 8GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR2 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    46 left arrow 31
  • 読み出し速度、GB/s
    4,937.3 left arrow 16.3
  • 書き込み速度、GB/秒
    2,061.2 left arrow 15.5
  • メモリ帯域幅、mbps
    6400 left arrow 17000
Other
  • 商品説明
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
  • タイミング / クロック速度
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    759 left arrow 3205

A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB RAMの比較

takeMS International AG TMS2GS264D082665EQ 2GB
Qimonda 64T64000EU3SB2 512MB

Corsair CMW16GX4M2K3600C16 8GB RAMの比較

Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Golden Empire CL15-17-17 D4-3000 8GB
Golden Empire CL15-17-17 D4-3000 8GB
メモリRAM
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-2G6B1 32GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-2G6B1 32GB
メモリRAM
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Samsung M393A4K40BB2-CTD 32GB
Samsung M393A4K40BB2-CTD 32GB
メモリRAM
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FD2 8GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FD2 8GB
メモリRAM
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CMK16GX4M2K4266C16 8GB
Corsair CMK16GX4M2K4266C16 8GB
メモリRAM
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FB 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FB 16GB
メモリRAM
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GRS 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GRS 8GB
メモリRAM
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FA 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FA 8GB
メモリRAM
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C8FE 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C8FE 8GB
メモリRAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
EVGA 16G-D4-2666-MR 4GB
EVGA 16G-D4-2666-MR 4GB
メモリRAM
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Kingston 9965662-019.A00G 32GB
Kingston 9965662-019.A00G 32GB
メモリRAM
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266682 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266682 4GB
メモリRAM
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMK64GX4M4B3600C18 16GB
Corsair CMK64GX4M4B3600C18 16GB
メモリRAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Samsung M393A2K40BB1-CRC 16GB
Samsung M393A2K40BB1-CRC 16GB
メモリRAM