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A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMW64GX4M4C3200C16 16GB
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A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB vs Corsair CMW64GX4M4C3200C16 16GB
総合得点
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
総合得点
Corsair CMW64GX4M4C3200C16 16GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
バグを報告する
読み出し速度の高速化、GB/s
4
17.2
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
2,061.2
14.8
テスト平均値
考慮すべき理由
Corsair CMW64GX4M4C3200C16 16GB
バグを報告する
PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
33
46
周辺 -39% 低遅延
より高いメモリ帯域幅、mbps
17000
6400
周辺 2.66 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMW64GX4M4C3200C16 16GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR2
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
46
33
読み出し速度、GB/s
4,937.3
17.2
書き込み速度、GB/秒
2,061.2
14.8
メモリ帯域幅、mbps
6400
17000
Other
商品説明
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
タイミング / クロック速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
759
3595
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB RAMの比較
takeMS International AG TMS2GS264D082665EQ 2GB
Qimonda 64T64000EU3SB2 512MB
Corsair CMW64GX4M4C3200C16 16GB RAMの比較
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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