RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology BL16G36C16U4BL.M8FB1 16GB

A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB vs Crucial Technology BL16G36C16U4BL.M8FB1 16GB

総合得点
star star star star star
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB

A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB

総合得点
star star star star star
Crucial Technology BL16G36C16U4BL.M8FB1 16GB

Crucial Technology BL16G36C16U4BL.M8FB1 16GB

相違点 仕様 コメント

相違点

A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB 考慮すべき理由
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
バグを報告する
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    4 left arrow 20
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    2,061.2 left arrow 16.4
    テスト平均値
Crucial Technology BL16G36C16U4BL.M8FB1 16GB 考慮すべき理由
Crucial Technology BL16G36C16U4BL.M8FB1 16GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    28 left arrow 46
    周辺 -64% 低遅延
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    21300 left arrow 6400
    周辺 3.33 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology BL16G36C16U4BL.M8FB1 16GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR2 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    46 left arrow 28
  • 読み出し速度、GB/s
    4,937.3 left arrow 20.0
  • 書き込み速度、GB/秒
    2,061.2 left arrow 16.4
  • メモリ帯域幅、mbps
    6400 left arrow 21300
Other
  • 商品説明
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
  • タイミング / クロック速度
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    759 left arrow 3925

A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB RAMの比較

takeMS International AG TMS2GS264D082665EQ 2GB
Qimonda 64T64000EU3SB2 512MB

Crucial Technology BL16G36C16U4BL.M8FB1 16GB RAMの比較

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Corsair CMT32GX4M2Z3200C16 16GB
Corsair CMT32GX4M2Z3200C16 16GB
メモリRAM
Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB
Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB
Corsair CMK32GX4M2A2400C14 16GB
Corsair CMK32GX4M2A2400C14 16GB
メモリRAM
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston HX424C15FB/16 16GB
Kingston HX424C15FB/16 16GB
メモリRAM
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Corsair CMK8GX4M2B3600C18 4GB
Corsair CMK8GX4M2B3600C18 4GB
メモリRAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH3 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH3 8GB
メモリRAM
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3A1 8GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3A1 8GB
メモリRAM
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Crucial Technology BL16G36C16U4BL.M8FB1 16GB
Crucial Technology BL16G36C16U4BL.M8FB1 16GB
メモリRAM
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Kingston 9965662-015.A00G 16GB
Kingston 9965662-015.A00G 16GB
メモリRAM
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Corsair CMK64GX4M4A2400C14 16GB
Corsair CMK64GX4M4A2400C14 16GB
メモリRAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESBK.M8FE 8GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESBK.M8FE 8GB
メモリRAM
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
SK Hynix HMA82GR7MFR8N-UH 16GB
SK Hynix HMA82GR7MFR8N-UH 16GB
メモリRAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston X5H5PW-MIB 8GB
Kingston X5H5PW-MIB 8GB
メモリRAM
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Shenzen Recadata Storage Technology 8GB
Shenzen Recadata Storage Technology 8GB
メモリRAM
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
A-DATA Technology AO2P21FC8R2-BRGS 8GB
A-DATA Technology AO2P21FC8R2-BRGS 8GB
メモリRAM