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A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology BLM8G40C18U4B.M8FE1 8GB
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A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB vs Crucial Technology BLM8G40C18U4B.M8FE1 8GB
総合得点
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
総合得点
Crucial Technology BLM8G40C18U4B.M8FE1 8GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
バグを報告する
読み出し速度の高速化、GB/s
4
20.5
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
2,061.2
16.2
テスト平均値
考慮すべき理由
Crucial Technology BLM8G40C18U4B.M8FE1 8GB
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PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
26
46
周辺 -77% 低遅延
より高いメモリ帯域幅、mbps
21300
6400
周辺 3.33 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology BLM8G40C18U4B.M8FE1 8GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR2
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
46
26
読み出し速度、GB/s
4,937.3
20.5
書き込み速度、GB/秒
2,061.2
16.2
メモリ帯域幅、mbps
6400
21300
Other
商品説明
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
タイミング / クロック速度
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
759
3687
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB RAMの比較
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Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAD1 4GB
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Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD10240
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMR16GX4M2K4266C19 8GB
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Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTRGB 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Corsair CM4X8GF2400C16K4 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3200 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTRG 16GB
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