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A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology CB8GS2666.C8ET 8GB
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A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB vs Crucial Technology CB8GS2666.C8ET 8GB
総合得点
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
総合得点
Crucial Technology CB8GS2666.C8ET 8GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
バグを報告する
読み出し速度の高速化、GB/s
4
14
テスト平均値
考慮すべき理由
Crucial Technology CB8GS2666.C8ET 8GB
バグを報告する
PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
39
46
周辺 -18% 低遅延
書き込み速度の高速化、GB/s
9.1
2,061.2
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
21300
6400
周辺 3.33 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology CB8GS2666.C8ET 8GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR2
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
46
39
読み出し速度、GB/s
4,937.3
14.0
書き込み速度、GB/秒
2,061.2
9.1
メモリ帯域幅、mbps
6400
21300
Other
商品説明
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
タイミング / クロック速度
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Kingston 99U5701-003.A00G 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston KYXC0V-MIH 16GB
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A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GTZ 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-ED4-2400 16GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
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