RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GNT 8GB
比較する
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB vs G Skill Intl F4-2400C15-8GNT 8GB
総合得点
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
総合得点
G Skill Intl F4-2400C15-8GNT 8GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
バグを報告する
読み出し速度の高速化、GB/s
4
16.5
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
2,061.2
11.6
テスト平均値
考慮すべき理由
G Skill Intl F4-2400C15-8GNT 8GB
バグを報告する
PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
32
46
周辺 -44% 低遅延
より高いメモリ帯域幅、mbps
17000
6400
周辺 2.66 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GNT 8GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR2
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
46
32
読み出し速度、GB/s
4,937.3
16.5
書き込み速度、GB/秒
2,061.2
11.6
メモリ帯域幅、mbps
6400
17000
Other
商品説明
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
タイミング / クロック速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
759
2920
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB RAMの比較
takeMS International AG TMS2GS264D082665EQ 2GB
Qimonda 64T64000EU3SB2 512MB
G Skill Intl F4-2400C15-8GNT 8GB RAMの比較
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新の比較
Kingston ASU16D3LS1KFG/4G 4GB
Kingston KHX2400C15S4/8G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15S/8G 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FAD 4GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Corsair CMK64GX4M8B2800C14 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSDK.8FD 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Transcend Information TS2GSH64V1B 16GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
ISD Technology Limited 8GBF1X08QFHH38-135-K 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBR2 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Samsung T471A1K43CB1-CRC 8GB
Kingston ASU16D3LS1KFG/4G 4GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GTZR 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTRG 32GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7AFR8N
バグを報告する
×
Bug description
Source link