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A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZB 8GB
比較する
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB vs G Skill Intl F4-3000C15-8GTZB 8GB
総合得点
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
総合得点
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZB 8GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
バグを報告する
読み出し速度の高速化、GB/s
4
18.1
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
2,061.2
14.2
テスト平均値
考慮すべき理由
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZB 8GB
バグを報告する
PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
30
46
周辺 -53% 低遅延
より高いメモリ帯域幅、mbps
17000
6400
周辺 2.66 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZB 8GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR2
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
46
30
読み出し速度、GB/s
4,937.3
18.1
書き込み速度、GB/秒
2,061.2
14.2
メモリ帯域幅、mbps
6400
17000
Other
商品説明
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
タイミング / クロック速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
759
3352
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FHP 4GB
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Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N
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V-GEN D4H4GS24A8 4GB
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SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G46ME-32AA 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE1 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Golden Empire CL18-22-22 D4-3600 16GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FBR1 8GB
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