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A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GVR 16GB
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A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB vs G Skill Intl F4-3333C16-16GVR 16GB
総合得点
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
総合得点
G Skill Intl F4-3333C16-16GVR 16GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
バグを報告する
読み出し速度の高速化、GB/s
4
15.7
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
2,061.2
13.4
テスト平均値
考慮すべき理由
G Skill Intl F4-3333C16-16GVR 16GB
バグを報告する
PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
25
46
周辺 -84% 低遅延
より高いメモリ帯域幅、mbps
17000
6400
周辺 2.66 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GVR 16GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR2
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
46
25
読み出し速度、GB/s
4,937.3
15.7
書き込み速度、GB/秒
2,061.2
13.4
メモリ帯域幅、mbps
6400
17000
Other
商品説明
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
タイミング / クロック速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
759
3077
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB RAMの比較
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Qimonda 64T64000EU3SB2 512MB
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Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Corsair CMW32GX4M2D3600C18 16GB
Kingston 9905469-124.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRB 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 4GB 4GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Corsair CMH16GX4M2Z3200C16 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FRS 16GB
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