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A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX OC LAB 8GB
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A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB vs Galaxy Microsystems Ltd. GALAX OC LAB 8GB
総合得点
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
総合得点
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX OC LAB 8GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
バグを報告する
読み出し速度の高速化、GB/s
4
19.7
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
2,061.2
15.2
テスト平均値
考慮すべき理由
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX OC LAB 8GB
バグを報告する
PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
20
46
周辺 -130% 低遅延
より高いメモリ帯域幅、mbps
17000
6400
周辺 2.66 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX OC LAB 8GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR2
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
46
20
読み出し速度、GB/s
4,937.3
19.7
書き込み速度、GB/秒
2,061.2
15.2
メモリ帯域幅、mbps
6400
17000
Other
商品説明
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
タイミング / クロック速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
759
3473
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB RAMの比較
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新の比較
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Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FHD 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
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Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Atla Electronics Co. Ltd. AD4SST8GT1WB-FQGE 8GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G3A2 32GB
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