RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6MFR8N-TF 16GB

A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6MFR8N-TF 16GB

総合得点
star star star star star
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB

A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB

総合得点
star star star star star
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6MFR8N-TF 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6MFR8N-TF 16GB

相違点 仕様 コメント

相違点

A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB 考慮すべき理由
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
バグを報告する
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    4 left arrow 14.8
    テスト平均値
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6MFR8N-TF 16GB 考慮すべき理由
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6MFR8N-TF 16GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    25 left arrow 46
    周辺 -84% 低遅延
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    8.9 left arrow 2,061.2
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    17000 left arrow 6400
    周辺 2.66 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6MFR8N-TF 16GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR2 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    46 left arrow 25
  • 読み出し速度、GB/s
    4,937.3 left arrow 14.8
  • 書き込み速度、GB/秒
    2,061.2 left arrow 8.9
  • メモリ帯域幅、mbps
    6400 left arrow 17000
Other
  • 商品説明
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
  • タイミング / クロック速度
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    759 left arrow 2542

A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB RAMの比較

takeMS International AG TMS2GS264D082665EQ 2GB
Qimonda 64T64000EU3SB2 512MB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6MFR8N-TF 16GB RAMの比較

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Corsair CMN32GX4M2Z3600C18 16GB
Corsair CMN32GX4M2Z3600C18 16GB
メモリRAM
Mushkin 994083 4GB
Mushkin 994083 4GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1A2 4GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1A2 4GB
メモリRAM
Patriot Memory (PDP Systems) 2133 C14 Series 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2133 C14 Series 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB
メモリRAM
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6MFR8N-TF 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6MFR8N
メモリRAM
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Kingston KHX2666C15D4/8G 8GB
Kingston KHX2666C15D4/8G 8GB
メモリRAM
Kingston KHX1866C10D3/8GX 8GB
Kingston KHX1866C10D3/8GX 8GB
Kingston KHX2933C15D4/8GX 8GB
Kingston KHX2933C15D4/8GX 8GB
メモリRAM
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
INTENSO 5641160 8GB
INTENSO 5641160 8GB
メモリRAM
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB
メモリRAM
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A2 4GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A2 4GB
メモリRAM
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GTZRB 16GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GTZRB 16GB
メモリRAM
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Kingston KHX2133C14D4/8G 8GB
Kingston KHX2133C14D4/8G 8GB
メモリRAM
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Kingston 99U5702-025.A00G 8GB
Kingston 99U5702-025.A00G 8GB
メモリRAM
Kingston 99U5584-010.A00LF 4GB
Kingston 99U5584-010.A00LF 4GB
Kingston ACR26D4S9S1KA-4 4GB
Kingston ACR26D4S9S1KA-4 4GB
メモリRAM
Elpida EBJ40UG8BBU0-GN-F 4GB
Elpida EBJ40UG8BBU0-GN-F 4GB
Kingston 9905700-053.A00G 8GB
Kingston 9905700-053.A00G 8GB
メモリRAM