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A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GS1NCIK 8GB

A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB vs InnoDisk Corporation M4S0-8GS1NCIK 8GB

総合得点
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A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB

A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB

総合得点
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InnoDisk Corporation M4S0-8GS1NCIK 8GB

InnoDisk Corporation M4S0-8GS1NCIK 8GB

相違点 仕様 コメント

相違点

A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB 考慮すべき理由
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
バグを報告する
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    4 left arrow 15.5
    テスト平均値
InnoDisk Corporation M4S0-8GS1NCIK 8GB 考慮すべき理由
InnoDisk Corporation M4S0-8GS1NCIK 8GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    30 left arrow 46
    周辺 -53% 低遅延
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    7.6 left arrow 2,061.2
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    21300 left arrow 6400
    周辺 3.33 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GS1NCIK 8GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR2 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    46 left arrow 30
  • 読み出し速度、GB/s
    4,937.3 left arrow 15.5
  • 書き込み速度、GB/秒
    2,061.2 left arrow 7.6
  • メモリ帯域幅、mbps
    6400 left arrow 21300
Other
  • 商品説明
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
  • タイミング / クロック速度
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    759 left arrow 2208

A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB RAMの比較

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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
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Apacer Technology 78.CAGNT.AR40B 8GB
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Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
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Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2B1 32GB
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Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
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Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G3B2 64GB
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メモリRAM
Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB
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Corsair CM4X8GF3000C15K4 8GB
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メモリRAM
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
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Corsair CMWX8GD3200C16W2E 8GB
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メモリRAM
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
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Crucial Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
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メモリRAM
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
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Apacer Technology 78.CAGNT.4050B 8GB
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メモリRAM
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
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