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A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
InnoDisk Corporation M4SI-8GS1NC0K-C 8GB
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A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB vs InnoDisk Corporation M4SI-8GS1NC0K-C 8GB
総合得点
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
総合得点
InnoDisk Corporation M4SI-8GS1NC0K-C 8GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
バグを報告する
読み出し速度の高速化、GB/s
4
17.2
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
2,061.2
13.0
テスト平均値
考慮すべき理由
InnoDisk Corporation M4SI-8GS1NC0K-C 8GB
バグを報告する
PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
22
46
周辺 -109% 低遅延
より高いメモリ帯域幅、mbps
21300
6400
周辺 3.33 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
InnoDisk Corporation M4SI-8GS1NC0K-C 8GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR2
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
46
22
読み出し速度、GB/s
4,937.3
17.2
書き込み速度、GB/秒
2,061.2
13.0
メモリ帯域幅、mbps
6400
21300
Other
商品説明
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
タイミング / クロック速度
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
759
3007
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKY 8GB
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Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3200
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX OC LAB 8GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M2Z2933C16 8GB
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