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A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston ACR26D4U9S8MH-8 8GB
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A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB vs Kingston ACR26D4U9S8MH-8 8GB
総合得点
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
総合得点
Kingston ACR26D4U9S8MH-8 8GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
バグを報告する
読み出し速度の高速化、GB/s
4
15.5
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
2,061.2
11.9
テスト平均値
考慮すべき理由
Kingston ACR26D4U9S8MH-8 8GB
バグを報告する
PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
35
46
周辺 -31% 低遅延
より高いメモリ帯域幅、mbps
21300
6400
周辺 3.33 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston ACR26D4U9S8MH-8 8GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR2
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
46
35
読み出し速度、GB/s
4,937.3
15.5
書き込み速度、GB/秒
2,061.2
11.9
メモリ帯域幅、mbps
6400
21300
Other
商品説明
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
タイミング / クロック速度
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
759
2903
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB RAMの比較
takeMS International AG TMS2GS264D082665EQ 2GB
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Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
RAM Latency Calculator
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FE 4GB
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Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
InnoDisk Corporation M4S0-AGS1O5IK 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Avant Technology W642GU42J2320NH 16GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
G Skill Intl F4-4800C18-8GTRG 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Kingston KHX2400C12D4/8GX 8GB
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