RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston K6VDX7-HYD 8GB

A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB vs Kingston K6VDX7-HYD 8GB

総合得点
star star star star star
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB

A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB

総合得点
star star star star star
Kingston K6VDX7-HYD 8GB

Kingston K6VDX7-HYD 8GB

相違点 仕様 コメント

相違点

A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB 考慮すべき理由
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
バグを報告する
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    4 left arrow 13.5
    テスト平均値
Kingston K6VDX7-HYD 8GB 考慮すべき理由
Kingston K6VDX7-HYD 8GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    30 left arrow 46
    周辺 -53% 低遅延
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    7.2 left arrow 2,061.2
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    25600 left arrow 6400
    周辺 4 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston K6VDX7-HYD 8GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR2 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    46 left arrow 30
  • 読み出し速度、GB/s
    4,937.3 left arrow 13.5
  • 書き込み速度、GB/秒
    2,061.2 left arrow 7.2
  • メモリ帯域幅、mbps
    6400 left arrow 25600
Other
  • 商品説明
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
  • タイミング / クロック速度
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    759 left arrow 2154

A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB RAMの比較

takeMS International AG TMS2GS264D082665EQ 2GB
Qimonda 64T64000EU3SB2 512MB

Kingston K6VDX7-HYD 8GB RAMの比較

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZB 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZB 4GB
メモリRAM
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Teikon TMA81GS6CJR8N-VKSC 8GB
Teikon TMA81GS6CJR8N-VKSC 8GB
メモリRAM
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-5333C22-8GTRG 8GB
G Skill Intl F4-5333C22-8GTRG 8GB
メモリRAM
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FE 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FE 16GB
メモリRAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology D22.23263S.002 16GB
Apacer Technology D22.23263S.002 16GB
メモリRAM
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Avant Technology W642GU42J5213N2 16GB
Avant Technology W642GU42J5213N2 16GB
メモリRAM
Crucial Technology CT102464BD160B.M16 8GB
Crucial Technology CT102464BD160B.M16 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB
メモリRAM
Kingston KHX1600C9D3LK2/8GX 4GB
Kingston KHX1600C9D3LK2/8GX 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
メモリRAM
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Kingston KHX2666C13D4/4GX 4GB
Kingston KHX2666C13D4/4GX 4GB
メモリRAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston ACR32D4S2S1ME-8 8GB
Kingston ACR32D4S2S1ME-8 8GB
メモリRAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GVK 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GVK 8GB
メモリRAM
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-VK 8GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-VK 8GB
メモリRAM
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6H1 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6H1 8GB
メモリRAM
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GRS 16GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GRS 16GB
メモリRAM