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A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston KF2666C16D4/8G 8GB

A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB vs Kingston KF2666C16D4/8G 8GB

総合得点
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A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB

A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB

総合得点
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Kingston KF2666C16D4/8G 8GB

Kingston KF2666C16D4/8G 8GB

相違点 仕様 コメント

相違点

A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB 考慮すべき理由
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
バグを報告する
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    4 left arrow 16.1
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    2,061.2 left arrow 12.9
    テスト平均値
Kingston KF2666C16D4/8G 8GB 考慮すべき理由
Kingston KF2666C16D4/8G 8GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    32 left arrow 46
    周辺 -44% 低遅延
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    21300 left arrow 6400
    周辺 3.33 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston KF2666C16D4/8G 8GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR2 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    46 left arrow 32
  • 読み出し速度、GB/s
    4,937.3 left arrow 16.1
  • 書き込み速度、GB/秒
    2,061.2 left arrow 12.9
  • メモリ帯域幅、mbps
    6400 left arrow 21300
Other
  • 商品説明
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 17 18
  • タイミング / クロック速度
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    759 left arrow 3101

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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
SK Hynix HMA425S6AFR6N-UH 2GB
SK Hynix HMA425S6AFR6N-UH 2GB
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Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston HP37D4U1S8ME-8XR 8GB
Kingston HP37D4U1S8ME-8XR 8GB
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Corsair CMK8GX4M1A2400C14 8GB
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G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
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Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
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Samsung M391A2K43BB1-CPB 16GB
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