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A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2J1 16GB
比較する
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB vs Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2J1 16GB
総合得点
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
総合得点
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2J1 16GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
バグを報告する
読み出し速度の高速化、GB/s
4
16.8
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
2,061.2
14.3
テスト平均値
考慮すべき理由
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2J1 16GB
バグを報告する
PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
30
46
周辺 -53% 低遅延
より高いメモリ帯域幅、mbps
25600
6400
周辺 4 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2J1 16GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR2
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
46
30
読み出し速度、GB/s
4,937.3
16.8
書き込み速度、GB/秒
2,061.2
14.3
メモリ帯域幅、mbps
6400
25600
Other
商品説明
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
タイミング / クロック速度
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
759
3527
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
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Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
SK Hynix HMA82GR7AFR8N-UH 16GB
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