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A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 16GB
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A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB vs Shenzhen Xingmem Technology Corp 16GB
総合得点
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
総合得点
Shenzhen Xingmem Technology Corp 16GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
バグを報告する
読み出し速度の高速化、GB/s
4
14.3
テスト平均値
考慮すべき理由
Shenzhen Xingmem Technology Corp 16GB
バグを報告する
PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
43
46
周辺 -7% 低遅延
書き込み速度の高速化、GB/s
7.8
2,061.2
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
19200
6400
周辺 3 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 16GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR2
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
46
43
読み出し速度、GB/s
4,937.3
14.3
書き込み速度、GB/秒
2,061.2
7.8
メモリ帯域幅、mbps
6400
19200
Other
商品説明
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
タイミング / クロック速度
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
759
2128
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB RAMの比較
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLT8G4D30BET4K.C8FD 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
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G Skill Intl F3-1600C11-4GIS 4GB
Corsair CMG32GX4M2E3200C16 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Corsair CMK64GX4M8X4133C19 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZ 8GB
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