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A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB

A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB vs Shenzhen Xingmem Technology Corp 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB

総合得点
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A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB

A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB

総合得点
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Shenzhen Xingmem Technology Corp 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB

Shenzhen Xingmem Technology Corp 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB

相違点 仕様 コメント

相違点

A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB 考慮すべき理由
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    46 left arrow 72
    周辺 36% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    4 left arrow 15.3
    テスト平均値
Shenzhen Xingmem Technology Corp 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB 考慮すべき理由
Shenzhen Xingmem Technology Corp 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
バグを報告する
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    8.0 left arrow 2,061.2
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    19200 left arrow 6400
    周辺 3 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR2 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    46 left arrow 72
  • 読み出し速度、GB/s
    4,937.3 left arrow 15.3
  • 書き込み速度、GB/秒
    2,061.2 left arrow 8.0
  • メモリ帯域幅、mbps
    6400 left arrow 19200
Other
  • 商品説明
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
  • タイミング / クロック速度
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    759 left arrow 1593

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SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
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G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSW 8GB
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メモリRAM
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
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Transcend Information TS512MLH64V4H 4GB
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Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
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Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FBR 16GB
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Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
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Kingston 9905702-010.A00G 8GB
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Transcend Information JM3200HLB-16G 16GB
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Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
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メモリRAM
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
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