RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-VK 16GB

A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB vs SK Hynix HMA82GU6DJR8N-VK 16GB

総合得点
star star star star star
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB

A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB

総合得点
star star star star star
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-VK 16GB

SK Hynix HMA82GU6DJR8N-VK 16GB

相違点 仕様 コメント

相違点

A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB 考慮すべき理由
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
バグを報告する
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    4 left arrow 14
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    2,061.2 left arrow 12.3
    テスト平均値
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-VK 16GB 考慮すべき理由
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-VK 16GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    43 left arrow 46
    周辺 -7% 低遅延
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    21300 left arrow 6400
    周辺 3.33 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-VK 16GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR2 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    46 left arrow 43
  • 読み出し速度、GB/s
    4,937.3 left arrow 14.0
  • 書き込み速度、GB/秒
    2,061.2 left arrow 12.3
  • メモリ帯域幅、mbps
    6400 left arrow 21300
Other
  • 商品説明
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
  • タイミング / クロック速度
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    759 left arrow 2867

A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB RAMの比較

takeMS International AG TMS2GS264D082665EQ 2GB
Qimonda 64T64000EU3SB2 512MB

SK Hynix HMA82GU6DJR8N-VK 16GB RAMの比較

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CM4X16GE2666C18S4 16GB
Corsair CM4X16GE2666C18S4 16GB
メモリRAM
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-VK 16GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-VK 16GB
メモリRAM
SK Hynix HMT42GR7AFR4C-RD 16GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4C-RD 16GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2B2 32GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2B2 32GB
メモリRAM
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston 9905678-007.A00G 8GB
Kingston 9905678-007.A00G 8GB
メモリRAM
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Wilk Elektronik S.A. W-MEM2666S416G 16GB
Wilk Elektronik S.A. W-MEM2666S416G 16GB
メモリRAM
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832160B 8GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832160B 8GB
メモリRAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6B1 16GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6B1 16GB
メモリRAM
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Apacer Technology 78.CAGP7.4020B 8GB
Apacer Technology 78.CAGP7.4020B 8GB
メモリRAM
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Mushkin 99[2/7/4]189F 4GB
Mushkin 99[2/7/4]189F 4GB
メモリRAM
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
InnoDisk Corporation 16GB
InnoDisk Corporation 16GB
メモリRAM
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRS 16GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRS 16GB
メモリRAM
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.M8FB 16GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.M8FB 16GB
メモリRAM
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Mushkin 99[2/7/4]200F 8GB
Mushkin 99[2/7/4]200F 8GB
メモリRAM
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Kingston KHYXPX-MID 8GB
Kingston KHYXPX-MID 8GB
メモリRAM