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AMD AE34G1601U1 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8GB

AMD AE34G1601U1 4GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8GB

総合得点
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AMD AE34G1601U1 4GB

AMD AE34G1601U1 4GB

総合得点
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Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8GB

Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8GB

相違点 仕様 コメント

相違点

AMD AE34G1601U1 4GB 考慮すべき理由
AMD AE34G1601U1 4GB
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Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8GB 考慮すべき理由
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8GB
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  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    23 left arrow 67
    周辺 -191% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    17.2 left arrow 6.8
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    13.0 left arrow 3.6
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    19200 left arrow 12800
    周辺 1.5 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
AMD AE34G1601U1 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    67 left arrow 23
  • 読み出し速度、GB/s
    6.8 left arrow 17.2
  • 書き込み速度、GB/秒
    3.6 left arrow 13.0
  • メモリ帯域幅、mbps
    12800 left arrow 19200
Other
  • 商品説明
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
  • タイミング / クロック速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    998 left arrow 3004

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Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E2 32GB
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Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
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メモリRAM
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Corsair CMD32GX4M4C3200C14C 8GB
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Corsair CMWX8GD3200C16W2E 8GB
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メモリRAM
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
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G Skill Intl F4-3200C16-4GVK 4GB
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メモリRAM
Mushkin 991586 2GB
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ACPI Digital Co. Ltd. CMA6-4FA01AAR01A00 4GB
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Kingmax Semiconductor FLFF65F-C8KM9 4GB
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