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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8GB

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8GB

総合得点
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

総合得点
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Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8GB

Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB 考慮すべき理由
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
バグを報告する
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    21300 left arrow 19200
    周辺 1.11% 高帯域
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8GB 考慮すべき理由
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    23 left arrow 27
    周辺 -17% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    17.2 left arrow 16.7
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    13.0 left arrow 11.8
    テスト平均値

仕様

技術仕様の完全リスト
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR4 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    27 left arrow 23
  • 読み出し速度、GB/s
    16.7 left arrow 17.2
  • 書き込み速度、GB/秒
    11.8 left arrow 13.0
  • メモリ帯域幅、mbps
    21300 left arrow 19200
Other
  • 商品説明
    PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
  • タイミング / クロック速度
    17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    2756 left arrow 3004

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Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
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Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FE 16GB
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メモリRAM
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
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Corsair CMW32GX4M4C3000C15 8GB
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メモリRAM
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
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Corsair CMSX64GX4M2A2933C19 32GB
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メモリRAM
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
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Micron Technology 18ADF1G72PZ-2G1A1 8GB
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メモリRAM
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
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Mushkin 99[2/7/4]202F 4GB
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メモリRAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3000 8GB
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メモリRAM
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
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Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FDD2 8GB
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メモリRAM
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
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Crucial Technology CT32G4SFD8266.C16FB 32GB
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メモリRAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Corsair CMK64GX4M4B3333C16 16GB
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メモリRAM
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Kingston 9905734-062.A00G 32GB
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メモリRAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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