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AMD R5316G1609U2K 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO102408-2400 8GB
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AMD R5316G1609U2K 8GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO102408-2400 8GB
総合得点
AMD R5316G1609U2K 8GB
総合得点
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO102408-2400 8GB
相違点
仕様
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相違点
考慮すべき理由
AMD R5316G1609U2K 8GB
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考慮すべき理由
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO102408-2400 8GB
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PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
25
73
周辺 -192% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s
14.6
6.3
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
9.9
5.2
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
19200
12800
周辺 1.5 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
AMD R5316G1609U2K 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO102408-2400 8GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR3
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
73
25
読み出し速度、GB/s
6.3
14.6
書き込み速度、GB/秒
5.2
9.9
メモリ帯域幅、mbps
12800
19200
Other
商品説明
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
タイミング / クロック速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
1309
2427
AMD R5316G1609U2K 8GB RAMの比較
Transcend Information TS1GLK64V3H 8GB
Ramos Technology RMB4GB584CA3-13HC 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO102408-2400 8GB RAMの比較
Kingston 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
UMAX Technology D4-2133-4GB-512X8-L 4GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FBR2 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Kingston 9905701-018.A00G 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
DSL Memory D4SS1G081SH24A-A 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Apacer Technology 78.C1GMM.AUC0B 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Corsair CMD64GX4M8A2400C14 8GB
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