Comparación de la memoria RAM AMD R5316G1609U2K 8GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO102408-2400 8GB

AMD R5316G1609U2K 8GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO102408-2400 8GB

Puntuación global

AMD R5316G1609U2K 8GB

Puntuación global

Diferencias Especificaciones Comentarios

Razones a tener en cuenta
AMD R5316G1609U2K 8GB

Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO102408-2400 8GB

Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns

25 73

En -192% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s

14.6 6.3

Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s

9.9 5.2

Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps

19200 12800

En 1.5 mayor ancho de banda

Lista completa de especificaciones técnicas

AMD R5316G1609U2K 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO102408-2400 8GB

Principales características

Other

Descripción

PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj

9-9-9-24 / 1600 MHz 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)

1309 2427

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns