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AMD R5316G1609U2K 8GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB
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AMD R5316G1609U2K 8GB vs Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB
総合得点
AMD R5316G1609U2K 8GB
総合得点
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
AMD R5316G1609U2K 8GB
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考慮すべき理由
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB
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PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
39
73
周辺 -87% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s
7.7
6.3
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
6.8
5.2
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
17000
12800
周辺 1.33 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
AMD R5316G1609U2K 8GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR3
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
73
39
読み出し速度、GB/s
6.3
7.7
書き込み速度、GB/秒
5.2
6.8
メモリ帯域幅、mbps
12800
17000
Other
商品説明
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
タイミング / クロック速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
1309
1768
AMD R5316G1609U2K 8GB RAMの比較
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
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Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GVR 8GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Kingston KHX2666C13D4/4GX 4GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
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SK Hynix HMAA4GS6AJR8N-XN 32GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Samsung M378A1K43CB2-CRC 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Dust Leopard DDR4-2400 CL17 8GB 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6B1 8GB
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