RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
AMD R5316G1609U2K 8GB
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB

AMD R5316G1609U2K 8GB vs Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB

総合得点
star star star star star
AMD R5316G1609U2K 8GB

AMD R5316G1609U2K 8GB

総合得点
star star star star star
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB

Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB

相違点 仕様 コメント

相違点

AMD R5316G1609U2K 8GB 考慮すべき理由
AMD R5316G1609U2K 8GB
バグを報告する
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB 考慮すべき理由
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    24 left arrow 73
    周辺 -204% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    14.9 left arrow 6.3
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    10.6 left arrow 5.2
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    19200 left arrow 12800
    周辺 1.5 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
AMD R5316G1609U2K 8GB
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    73 left arrow 24
  • 読み出し速度、GB/s
    6.3 left arrow 14.9
  • 書き込み速度、GB/秒
    5.2 left arrow 10.6
  • メモリ帯域幅、mbps
    12800 left arrow 19200
Other
  • 商品説明
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • タイミング / クロック速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    1309 left arrow 2196

AMD R5316G1609U2K 8GB RAMの比較

Transcend Information TS1GLK64V3H 8GB
Ramos Technology RMB4GB584CA3-13HC 4GB

Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB RAMの比較

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Corsair CMK16GX4M2K3600C19 8GB
Corsair CMK16GX4M2K3600C19 8GB
メモリRAM
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FH 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FH 8GB
メモリRAM
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZR 16GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZR 16GB
メモリRAM
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Essencore Limited IM48GU88N24-FFFHMB 8GB
Essencore Limited IM48GU88N24-FFFHMB 8GB
メモリRAM
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKK 16GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKK 16GB
メモリRAM
AMD R5316G1609U2K 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
メモリRAM
Samsung M471B1G73BH0-YK0 8GB
Samsung M471B1G73BH0-YK0 8GB
Corsair CMH16GX4M2Z3200C16 8GB
Corsair CMH16GX4M2Z3200C16 8GB
メモリRAM
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G213381 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G213381 8GB
メモリRAM
PNY Electronics PNY 2GB
PNY Electronics PNY 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1A1 16GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1A1 16GB
メモリRAM
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.M8FR 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.M8FR 8GB
メモリRAM
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMT32GX4M2C3200C14 16GB
Corsair CMT32GX4M2C3200C14 16GB
メモリRAM
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston MSI26D4S9S8HJ-8 8GB
Kingston MSI26D4S9S8HJ-8 8GB
メモリRAM
A-DATA Technology DQVE1B16 2GB
A-DATA Technology DQVE1B16 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6J1 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6J1 8GB
メモリRAM
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Crucial Technology BLS4G4S240FSD.8FBD 4GB
Crucial Technology BLS4G4S240FSD.8FBD 4GB
メモリRAM