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AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB

AMD R534G1601U1S-UO 4GB vs Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB

総合得点
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AMD R534G1601U1S-UO 4GB

AMD R534G1601U1S-UO 4GB

総合得点
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Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB

Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB

相違点 仕様 コメント

相違点

AMD R534G1601U1S-UO 4GB 考慮すべき理由
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    27 left arrow 46
    周辺 41% 低遅延
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB 考慮すべき理由
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
バグを報告する
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    16 left arrow 14.7
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    12.4 left arrow 9.2
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    25600 left arrow 12800
    周辺 2 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    27 left arrow 46
  • 読み出し速度、GB/s
    14.7 left arrow 16.0
  • 書き込み速度、GB/秒
    9.2 left arrow 12.4
  • メモリ帯域幅、mbps
    12800 left arrow 25600
Other
  • 商品説明
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
  • タイミング / クロック速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    2272 left arrow 2660

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Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
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Crucial Technology CT16G4DFRA266.C8FE 16GB
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Corsair CM4B8G2J3000K15K 8GB
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Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSK 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSK 8GB
メモリRAM
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Apacer Technology GD2.1827CS.003 8GB
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メモリRAM
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G Skill Intl F4-2400C17-8GVR 8GB
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Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
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